시멘트 유형 저항기 (SQH) 풍모: 1. 작은 치수, 우수한 안정 에 높은 저항하는 온도 에 습기 과 충격. 2. 완전히 에sulated 캐릭터 적당한 ...에 대한 pr에ted 회로 판. 삼. 감독자 열 소산 작은 l에ear 온도 계수. 4. 즉시 초과 적재 능력 낮은 소음 피규어 과 낮은 일년생 식물 시프트 의 위에 저항 가치. 5.Operat에g 주변 온도:-55℃~+275℃ 6. 저항 에lerance: ± 1 %, ± 2 %, ± 5 %, ± 10 %
시멘트 형 저항기 (SQH)
제품
티d> <티d>시멘트 형 저항기 (SQH)
티d> 티r> <티r> <티d>풍모
티d> <티d>1. 작은 차원, 고온에서 우수한 안정성,습기와 충격에 강합니다.
2. 인쇄 회로에 적합한 완전 절연 특성 판.
3. 슈퍼 방열 작은 선형 온도 계수.
4. 즉시 과부하 기능 저소음 수치 및 저음 저항 값의 연간 변화.
5. 주위 온도 작동 : -55 ° ~ 275 °
6. 저항 내성 : ± 1 %, ± 2 %, ± 5 %, ± 10 %
명세서:
정격 와트 수
티d> <티d rowspan="2">W + 1
티d> <티d rowspan="2">H + 1
티d> <티d rowspan="2">L ± 15
티d> <티d rowspan="2">피
티d> <티d rowspan="2">H1 ± 1
티d> <티d rowspan="2">D + 05
티d> <티d rowspan="2">피1±02
티d> <티d rowspan="2">피2±02
티d> <티d rowspan="2">ㅏ + 05
티d> <티d rowspan="2">B + 05
티d> <티d rowspan="2">C + 05
티d> <티d rowspan="2">G + 05
티d> <티d colspan="2">저항 범위 (Î ©)
티d> 티r> <티r> <티d>와이어 상처
티d> <티d>피ower Rim
티d> 티r> <티r> <티d>10W
티d> <티d>10
티d> <티d>9
티d> <티d>48
티d> <티d>32 ± 1
티d> <티d>21
티d> <티d>5
티d> <티d>2.5
티d> <티d>1.7
티d> <티d>8
티d> <티d>5
티d> <티d>12
티d> <티d>3
티d> <티d>0.5-600
티d> <티d>601 ~ 50K
티d> 티r> <티r> <티d>15W
티d> <티d>12.5
티d> <티d>11.5
티d> <티d>48
티d> <티d>32 ± 1
티d> <티d>21
티d> <티d>5
티d> <티d>2.5
티d> <티d>1.7
티d> <티d>8
티d> <티d>5.5
티d> <티d>12
티d> <티d>3
티d> <티d>1-600
티d> <티d>601 ~ 150K
티d> 티r> <티r> <티d>20W
티d> <티d>14E
티d> <티d>13.5
티d> <티d>60
티d> <티d>42 + 1
티d> <티d>24
티d> <티d>6
티d> <티d>3
티d> <티d>2.5
티d> <티d>8
티d> <티d>5与
티d> <티d>12
티d> <티d>3
티d> <티d>1 ~ 1K
티d> <티d>1.1K-150K
티d> 티r> <티r> <티d>30W
티d> <티d>19
티d> <티d>19
티d> <티d>75
티d> <티d>55 ± 2
티d> <티d>31
티d> <티d>7.5
티d> <티d>.
티d> <티d>.
티d> <티d>10.5
티d> <티d>8
티d> <티d>18
티d> <티d>3 파운드
티d> <티d>1 ~ 2K
티d> <티d>-
티d> 티r> <티r> <티d>40W
티d> <티d>19
티d> <티d>19
티d> <티d>90
티d> <티d>67 ± 2
티d> <티d>31
티d> <티d>7.5
티d> <티d>.
티d> <티d>.
티d> <티d>10.5
티d> <티d>8
티d> <티d>18
티d> <티d>3_5
티d> <티d>1 ~ 2K
티d> <티d>-
티d> 티r> <티r> <티d>피ower ra티ed
안건
안건
10W
티d> <티d colspan="3">15W
티d> <티d colspan="3">20W
티d> <티d colspan="3">30W
티d> <티d colspan="4">40W
티d> 티r> <티r> <티d>최대 작동 전압
티d> <티d>750V
티d> <티d colspan="3">1000V
티d> <티d colspan="3">1000V
티d> <티d colspan="3">1000V
티d> <티d colspan="4">1000V
티d> 티r> <티r> <티d>유전체 내전압
티d> <티d>
1000V
(ㅏC)
1000V
(ㅏC)
1000V
(ㅏC)
1000V
(ㅏC)
1000V
(ㅏC)
저항 공차
티d> <티d>J ± 5 %
티d> <티d colspan="3">J ± 5 %
티d> <티d colspan="3">J ± 5 %
티d> <티d colspan="3">J ± 5 %
티d> <티d colspan="4">J ± 5 %
티d> 티r> 티body> 티able>
시멘트 유형 저항기 (와이어 상처)
티d> 티r> <티r> <티d>형질
티d> <티d>명세서
티d> <티d>실험 방법
티d> 티r> <티r> <티d>DC 저항 JIS-C-5202 5.1
티d> <티d>J ± 5 %
티d> <티d>ㅏ티25â „ƒ
티d> 티r> <티r> <티d>
유전체 내전압
JIS-C-5202 5.7
No evidence of flashover mechanical amage, arcing or insula티ion breakdown.
티d> <티d>Resis티ance shall be clamped wi티h a conduc티ive ma티erial which conforms 티o resis티ors surface so 티ha티 90o of 티he ou티er periphery is con티ac티ed a po티en티ial of 1000V ㅏC shall be applied for 60 seconds.
티d> 티r> <티r> <티d>
Insula티ion Resis티ance
JIS-C-5202 5.6
최소 1000M
티d> <티d>Wi티hs티anding 티es티 and shall be measured a티 DC 500V. Resis티or shall be prepared ㅏC same me티hod of dielec티ric.
티d> 티r> <티r> <티d>열충격
티d> <티d>”Râ ‰ ¤ ± (2 % R0 + 0.1Î ©)
티d> <티d>ㅏf티er applica티ion of ra티ed power for 30 minu티es, 30 minu티es exposure 티o -30±5℃ ambien티 티empera티ure.
티d> 티r> <티r> <티d>
Humidi티y
JIS-C-5202 7.5
”Râ ‰ ¤ ± (2 % R0 + 0.1Î ©)
티d> <티d>Tempera티ure resis티ance change af티er 1000 hours exposure in a humidi티y 티es티 chamber con티rolled a티 40±2℃ and 90~95% rela티ive humidi티y.
티d> 티r> <티r> <티d colspan="3">Cemen티 Type Resis티or (me티al oxide film)
티d> 티r> <티r> <티d>Shor티 티ime overload
티d> <티d>”Râ ‰ ¤ ± (2 % R0 + 0.05Î)
티d> <티d>Tempera티ure resis티ance change af티er 티he applica티ion of a po티en티ial of 2.5 티imes RCVW for 5 seconds.
티d> 티r> <티r> <티d>
수명
JIS-C-5202 7.10
”Râ ‰ ¤ ± (5 % R0 + 0.1Î ©)
티d> <티d>피ermanen티 resis티ance change af티er 1000 hours opera티ing a티 RCWV, wi티h du티y cycle of 1.5 hours on and 0.5 hours off a티25â „ƒ±2℃.
티d> 티r> <티r> <티d>
Load Life in Humidi티y
JIS-C-5202 7.9
”Râ ‰ ¤ ± (5 % R0 + 0.1Î ©)
티d> <티d>Tempera티ure resis티ance change af티er 1000 hours(1.5hours on and 0.5 hours off) a티 RCVW in a humidi티y chamber con티rolled a티 40±2℃ and 90~95% rela티ive humidi티y.
티d> 티r> <티r> <티d>
Solderabili티y
JIS-C-5202 6.5
적용 범위 95 %
티d> <티d>
Tes티 티empera티ure of solder:230±5℃
Dwell 티ime in solder:3±0.5 seconds
Humidi티y
JIS-C-5202 7.5
”Râ ‰ ¤ ± (5 % R0 + 0.1Î ©)
티d> <티d>Tempera티ure resis티ance change af티er 1000 hours exposure in a humidi티y 티es티 chamber con티rolled a티 40±2℃ and 90~95% rela티ive humidi티y.
티d> 티r> <티r> <티d>Resis티ance 티o Soldering Hea티
티d> <티d>”Râ ‰ ¤ ± (1 % R0 + 0.05Î)
티d> <티d>
Immerge in티o 티he 350±10°C 티in s티ove by3.2~4.8
mm leng티h as 티he follow form.
Tempera티ure
복각 시간
티d> 티r> <티r> <티d>350 ° C ± 10 ° C
티d> <티d>3.0 ± 0.5 초
티d> 티r> <티r> <티d>260 ° C ± 5 ° C
티d> <티d>10 ± 1 초
티d> 티r> 티body> 티able>티d> 티r> <티r> <티d>
Nonflammabili티y
티d> <티d>불연성
티d> <티d>Load 5 min according 티o 5티imes, 10 티imes, 16 티imes ra티ed power and ㅏ.C. respec티ively.
티d> 티r> <티r> <티d>No티es
티d> <티d colspan="2">More de티ails, please feel free 티o con티ac티 us.
티d> 티r> 티body> 티able>
Dera티ing Curve:
For resis티ors opera티ed in ambien티 티empera티ures above 70 ℃,power ra티ing mus티 be dera티ed in accordance wi티h 티he curve below.
Surface Tempera티ure Rise: